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RFT50N-10CT2550 DC~6.0GHz चिप टर्मिनेशन


  • नमूना:आरएफटी50एन-10सीटी2550
  • आवृति सीमा:डीसी~6.0GHz
  • शक्ति:10 डब्ल्यू
  • प्रतिरोध सीमा:50 Ω
  • प्रतिरोध सहनशीलता:±5%
  • वीएसडब्ल्यूआर:1.20 अधिकतम
  • तापमान गुणांक: <150ppm>
  • आधार सामग्री:एएलएन
  • प्रतिरोध प्रौद्योगिकी:उपकरणों की सतह पर चढ़ाई जाने वाले मोटी परत
  • परिचालन तापमान:-55 से +155°C (पावर डी-रेटिंग देखें)
  • उत्पाद विवरण

    उत्पाद टैग

    सामान्य प्रदर्शन:

    1
    2

    इंस्टॉलेशन तरीका

    पावर डी-रेटिंग

    3
    4

    रिफ्लो समय और तापमान आरेख:

    5

    पी/एन पदनाम

    1

    रिफ्लो समय और तापमान आरेख

    ■ नए खरीदे गए पुर्जों को 6 महीने से अधिक समय तक स्टोर करने के बाद, उपयोग करने से पहले उनकी वेल्डिंग क्षमता की जांच अवश्य कर लें। इन्हें वैक्यूम पैकेजिंग में स्टोर करने की सलाह दी जाती है।
    ■ पीसीबी पर गर्म छेद को ड्रिल करें और उसमें सोल्डर भरें।
    ■ बॉटम वेल्डिंग के लिए रिफ्लो वेल्डिंग को प्राथमिकता दी जाती है; रिफ्लो वेल्डिंग का परिचय देखें।
    ■ आवश्यकता पड़ने पर एयर कूलिंग या वाटर कूलिंग की व्यवस्था करें।
    ◆ विवरण:
    ■ विशेष रूप से डिजाइन किए गए आरएफ एट्यूनेटर, आरएफ प्रतिरोधक और आरएफ टर्मिनल उपलब्ध हैं।


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