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RFT50-10CT0404 चिप समाप्ति
| नमूना | RFT50-10CT0404 |
| आवृति सीमा | DC ~ 10.0GHz |
| शक्ति | 10 डब्ल्यू |
| प्रतिरोध सीमा | 50 ω |
| प्रतिरोध सहिष्णुता | ± 5% |
| वीएसडब्ल्यूआर | DC ~ 6.0GHZ 1.20MAXDC ~ 10.0GHz 1.30MAX |
| तापमान गुणांक | <150ppm/℃ |
| सब्सट्रेट सामग्री | बीओ |
| प्रतिरोध प्रौद्योगिकी | उपकरणों की सतह पर चढ़ाई जाने वाले मोटी परत |
| परिचालन तापमान | -55 से +155 डिग्री सेल्सियस (डी पावर डी-रेटिंग देखें) |
विशिष्ट प्रदर्शन:
इंस्टॉलेशन तरीका
पावर डे-रेटिंग
रिफ्लो समय और तापमान आरेख:
पी/एन पदनाम
ध्यान देने की जरूरत है
■ नए खरीदे गए भागों की भंडारण अवधि 6 महीने से अधिक होने के बाद, उपयोग से पहले उनकी वेल्डेबिलिटी पर ध्यान दिया जाना चाहिए। यह वैक्यूम पैकेजिंग में स्टोर करने की सिफारिश की जाती है।
■ पीसीबी पर गर्म छेद को ड्रिल करें और मिलाप भरें।
■ रिफ्लो वेल्डिंग को नीचे वेल्डिंग के लिए पसंद किया जाता है, रिफ्लो वेल्डिंग के लिए परिचय देखें।
■ यदि आवश्यक हो तो एयर कूलिंग या पानी कूलिंग जोड़ें।
◆ विवरण:
■ कस्टम डिज़ाइन किए गए RF Attenuators, RF प्रतिरोधों और RF टर्मिनल उपलब्ध हैं।
