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नेतृत्व समाप्ति
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मुख्य तकनीकी विशिष्टताएँ：
रेटेड पावर：5-800W；
सब्सट्रेट सामग्री: BeO、AlN、Al2O3
नाममात्र प्रतिरोध मान：50Ω
प्रतिरोध सहिष्णुता：±5%、±2%、±1%
तापमान गुणांक：＜150ppm/℃
ऑपरेशन तापमान：-55～+150℃
आरओएचएस मानक: के अनुरूप
लागू मानक: Q/RFTYTR001-2022
लीड की लंबाई: एल जैसा कि डेटा शीट में निर्दिष्ट है
(ग्राहकों की आवश्यकताओं के अनुसार अनुकूलित किया जा सकता है)
| शक्ति(डब्ल्यू) | आवृत्ति | आयाम (इकाई: मिमी) | सब्सट्रेटसामग्री | डेटा शीट(पीडीएफ) | |||||
| A | B | H | G | W | L | ||||
| 5W | 6GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-05TM0404 |
| 11GHz | 1.27 | 2.54 | 0.5 | 1.0 | 0.8 | 3.0 | एएलएन | RFT50N-05TJ1225 | |
| 10W | 4GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | बीईओ | RFT50-10TM2550 |
| 6GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50A-10TM0404 | |
| 8GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | बीईओ | RFT50-10TM0404 | |
| 10GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | बीईओ | RFT50-10TM5035 | |
| 18GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | बीईओ | RFT50-10TM5023 | |
| 20W | 4GHz | 2.5 | 5.0 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 4.0 | बीईओ | RFT50-20TM2550 |
| 6GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | Al2O3 | RFT50N-20TJ0404 | |
| 8GHz | 4.0 | 4.0 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 3.0 | बीईओ | RFT50-20TM0404 | |
| 10GHz | 5.0 | 3.5 | 1.0 | 1.9 | 1.0 | 3.0 | बीईओ | RFT50-20TM5035 | |
| 18GHz | 5.0 | 2.5 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 3.0 | बीईओ | RFT50-20TM5023 | |
| 30W | 6GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | एएलएन | RFT50N-30TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | बीईओ | RFT50-30TM0606 | ||
| 60W | 6GHz | 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | एएलएन | RFT50N-60TJ0606 |
| 6.0 | 6.0 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | बीईओ | RFT50-60TM0606 | ||
| 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | बीईओ | RFT50-60TJ6363 | ||
| 100W | 3GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | एएलएन | RFT50N-100TJ6395 |
| 8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | एएलएन | RFT50N-100TJ8957 | ||
| 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-100TJ9595 | ||
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-100TJ1010 | |
| 6GHz | 6.35 | 6.35 | 1.0 | 1.8 | 1.0 | 5.0 | बीईओ | RFT50-100TJ6363 | |
| 8.9 | 5.7 | 1.0 | 1.6 | 1.0 | 5.0 | एएलएन | RFT50N-100TJ8957B | ||
| 8GHz | 9.0 | 6.0 | 1.5 | 2.0 | 1.0 | 5.0 | बीईओ | RFT50-100TJ0906C | |
| 150W | 3GHz | 6.35 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | एएलएन | RFT50N-150TJ6395 |
| 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-150TJ9595 | ||
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-150TJ1010 | |
| 6GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-150TJ1010B | |
| 200W | 3GHz | 9.5 | 9.5 | 1.0 | 1.6 | 1.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-200TJ9595 |
| 4GHz | 10.0 | 10.0 | 1.0 | 1.8 | 1.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-200TJ1010 | |
| 10GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-200TM1313B | |
| 250W | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-250TM1210 |
| 10GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-250TM1313B | |
| 300W | 3GHz | 12.0 | 10.0 | 1.5 | 2.5 | 1.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-300TM1210 |
| 10GHz | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-300TM1313B | |
| 400W | 2 है GHZ | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-400TM1313 |
| 500W | 2 है GHZ | 12.7 | 12.7 | 2.0 | 3.5 | 2.4 | 5.0 | बीईओ | RFT50-500TM1313 |
| 800W | 1GHz | 25.4 | 25.4 | 3.2 | 4 | 6 | 7 | बीईओ | RFT50-800TM2525 |
अवलोकन
लीडेड टर्मिनेशन प्रतिरोध, सर्किट प्रिंटिंग और सिंटरिंग के माध्यम से विभिन्न आवृत्ति आवश्यकताओं और बिजली आवश्यकताओं के आधार पर उचित सब्सट्रेट आकार और सामग्री का चयन करके किया जाता है।आमतौर पर उपयोग की जाने वाली सब्सट्रेट सामग्री मुख्य रूप से बेरिलियम ऑक्साइड, एल्यूमीनियम नाइट्राइड, एल्यूमीनियम ऑक्साइड, या बेहतर गर्मी अपव्यय सामग्री हो सकती है।
लीडेड टर्मिनेशन, पतली फिल्म प्रक्रिया और मोटी फिल्म प्रक्रिया में विभाजित।इसे विशिष्ट शक्ति और आवृत्ति आवश्यकताओं के आधार पर डिज़ाइन किया गया है, और फिर प्रक्रिया के माध्यम से संसाधित किया गया है।यदि आपकी विशेष आवश्यकताएं हैं, तो कृपया अनुकूलन के लिए विशिष्ट समाधान प्रदान करने के लिए हमारे बिक्री कर्मियों से संपर्क करें।
