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RFTXX-30CR2550W चिप रोकनेवाला RF रोकनेवाला
मॉडल RFTXX-30CR2550W पावर 30 डब्ल्यू प्रतिरोध xx ω (10 ~ 3000ω अनुकूलन) प्रतिरोध सहिष्णुता ± 5% तापमान गुणांक <150ppm/of सब्सट्रेट BEO प्रतिरोधक तत्व मोटा फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150 ° C (DE POWER DE-RETRATING) 6 महीने, उपयोग से पहले वेल्डेबिलिटी पर ध्यान दिया जाएगा। यह अनुशंसनीय है... -
RFTXX-30CR2550TA चिप रोकनेवाला RF रोकनेवाला
मॉडल RFTXX-30CR2550TA POWER 30W प्रतिरोध XX resess (10 ~ 3000ω कस्टमाइज़ेबल) प्रतिरोध सहिष्णुता ± 5% तापमान गुणांक <150ppm/of सब्सट्रेट BEO प्रतिरोधक तत्व मोटा फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150 ° C 6 महीने, उपयोग से पहले वेल्डेबिलिटी पर ध्यान दिया जाएगा। यह अनुशंसनीय है... -
RFTXX-30RM2006 FLANGED RESETOR RF रोकनेवाला
मॉडल RFTXX-30RM2006 POWER 30 W प्रतिरोध XX ((10 ~ 2000 N (अनुकूलन) प्रतिरोध सहिष्णुता ± 5% कैपेसिटेंस 2.6 PF@100ω तापमान गुणांक <150ppm/℃ सब्सट्रेट BEO कवर AL2O3 पर्वत 99.99% शुद्ध चांदी के लिए मोटे तौर पर चलती है। । -
RFTXX-30RM1306 RF रोकनेवाला
मॉडल RFTXX-30RM1306 पावर 30 डब्ल्यू प्रतिरोध xx ω (10 ~ 2000ω अनुकूलन) प्रतिरोध सहिष्णुता ± 5% कैपेसिटेंस 2.6 PF@100Ω तापमान गुणांक <150ppm/℃ सब्सट्रेट BEO कवर AL2O3 बढ़ते हुए निकटवर्ती ब्रास लीड 99.99% शुद्ध चांदी के लिए मोटा फिल्म ऑपरेटिंग तापमान-150 । -
दोहरी जंक्शन अलगाव
एक दोहरी जंक्शन आइसोलेटर एक निष्क्रिय उपकरण है जिसका उपयोग आमतौर पर माइक्रोवेव और मिलीमीटर-वेव फ्रीक्वेंसी बैंड में एंटीना एंड से रिवर्स सिग्नल को अलग करने के लिए किया जाता है। यह दो आइसोलेटर्स की संरचना से बना है। इसका सम्मिलन हानि और अलगाव आम तौर पर एक ही आइसोलेटर की तुलना में दोगुना होता है। यदि एक एकल आइसोलेटर का अलगाव 20DB है, तो एक डबल-जंक्शन आइसोलेटर का अलगाव अक्सर 40DB हो सकता है। पोर्ट VSWR बहुत अधिक नहीं बदलता है। सिस्टम में, जब रेडियो फ्रीक्वेंसी सिग्नल को इनपुट पोर्ट से पहले रिंग जंक्शन तक प्रेषित किया जाता है, क्योंकि फर्स्ट रिंग जंक्शन का एक छोर रेडियो फ्रीक्वेंसी रेसिस्टर से सुसज्जित होता है, तो इसका सिग्नल केवल दूसरे रिंग जंक्शन के इनपुट अंत तक प्रेषित किया जा सकता है। दूसरा लूप जंक्शन पहले वाले के समान है, आरएफ प्रतिरोधों को स्थापित करने के साथ, सिग्नल आउटपुट पोर्ट को पारित किया जाएगा, और इसका अलगाव दो लूप जंक्शनों के अलगाव का योग होगा। आउटपुट पोर्ट से लौटने वाले रिवर्स सिग्नल को दूसरे रिंग जंक्शन में RF रोकनेवाला द्वारा अवशोषित किया जाएगा। इस तरह, इनपुट और आउटपुट पोर्ट के बीच अलगाव की एक बड़ी डिग्री प्राप्त की जाती है, प्रभावी रूप से सिस्टम में प्रतिबिंब और हस्तक्षेप को कम करता है।
आवृत्ति रेंज 10MHz से 40GHz, 500W पावर तक।
सैन्य, अंतरिक्ष और वाणिज्यिक अनुप्रयोग।
कम सम्मिलन हानि, उच्च अलगाव, उच्च शक्ति हैंडलिंग।
अनुरोध पर उपलब्ध कस्टम डिजाइन।
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एसएमटी / एसएमडी आइसोलेटर
एसएमडी आइसोलेटर एक पीसीबी (प्रिंटेड सर्किट बोर्ड) पर पैकेजिंग और इंस्टॉलेशन के लिए उपयोग किया जाने वाला एक आइसोलेशन डिवाइस है। वे व्यापक रूप से संचार प्रणालियों, माइक्रोवेव उपकरण, रेडियो उपकरण और अन्य क्षेत्रों में उपयोग किए जाते हैं। एसएमडी आइसोलेटर छोटे, हल्के, और स्थापित करने में आसान होते हैं, जो उन्हें उच्च घनत्व एकीकृत सर्किट अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाते हैं। निम्नलिखित एसएमडी आइसोलेटर्स की विशेषताओं और अनुप्रयोगों के लिए एक विस्तृत परिचय प्रदान करेगा। वे आम तौर पर विभिन्न अनुप्रयोगों की आवृत्ति आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए एक विस्तृत आवृत्ति रेंज, जैसे 400MHz-18GHz जैसे को कवर करते हैं। यह व्यापक आवृत्ति बैंड कवरेज क्षमता SMD आइसोलेटर को कई अनुप्रयोग परिदृश्यों में उत्कृष्ट प्रदर्शन करने में सक्षम बनाती है।
फ़्रीक्वेंसी रेंज 200MHz से 15GHz से।
सैन्य, अंतरिक्ष और वाणिज्यिक अनुप्रयोग।
कम सम्मिलन हानि, उच्च अलगाव, उच्च शक्ति हैंडलिंग।
अनुरोध पर उपलब्ध कस्टम डिजाइन।
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RFTXX-20RM0904 RF रोकनेवाला
मॉडल RFTXX-20RM0904 पावर 20 W प्रतिरोध xx ω (10 ~ 3000ω कस्टमाइज़ेबल) प्रतिरोध सहिष्णुता ± 5% कैपेसिटेंस 1.2 PF@100Ω तापमान गुणांक <150ppm/℃ सब्सट्रेट BEO कवर AL2O3 बढ़ते हुए गंदगी 99.99% शुद्ध चांदी के संकल्पनात्मक तत्व के लिए। । -
माइक्रोस्ट्रिप आइसोलेटर
माइक्रोस्ट्रिप आइसोलेटर्स एक आमतौर पर उपयोग किए जाने वाले आरएफ और माइक्रोवेव डिवाइस हैं जिनका उपयोग सिग्नल ट्रांसमिशन और सर्किट में अलगाव के लिए किया जाता है। यह एक घूर्णन चुंबकीय फेराइट के शीर्ष पर एक सर्किट बनाने के लिए पतली फिल्म तकनीक का उपयोग करता है, और फिर इसे प्राप्त करने के लिए एक चुंबकीय क्षेत्र जोड़ता है। माइक्रोस्ट्रिप आइसोलेटर्स की स्थापना आम तौर पर कॉपर स्ट्रिप्स या गोल्ड वायर बॉन्डिंग के मैनुअल टांका लगाने की विधि को अपनाती है। समाक्षीय और एम्बेडेड आइसोलेटर की तुलना में माइक्रोस्ट्रिप आइसोलेटर की संरचना बहुत सरल है। सबसे स्पष्ट अंतर यह है कि कोई गुहा नहीं है, और रोटरी फेराइट पर डिज़ाइन किए गए पैटर्न को बनाने के लिए एक पतली फिल्म प्रक्रिया (वैक्यूम स्पटरिंग) का उपयोग करके माइक्रोस्ट्रिप आइसोलेटर का कंडक्टर बनाया जाता है। इलेक्ट्रोप्लेटिंग के बाद, उत्पादित कंडक्टर रोटरी फेराइट सब्सट्रेट से जुड़ा होता है। ग्राफ के शीर्ष पर इंसुलेटिंग माध्यम की एक परत संलग्न करें, और माध्यम पर एक चुंबकीय क्षेत्र को ठीक करें। इस तरह की एक सरल संरचना के साथ, एक माइक्रोस्ट्रिप आइसोलेटर को गढ़ा गया है।
आवृत्ति रेंज 2.7 से 43GHz
सैन्य, अंतरिक्ष और वाणिज्यिक अनुप्रयोग।
कम सम्मिलन हानि, उच्च अलगाव, उच्च शक्ति हैंडलिंग।
अनुरोध पर उपलब्ध कस्टम डिजाइन।
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CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G DC ~ 3.0GHz कम इंटरमॉड्यूलेशन समाप्ति
मॉडल CT-50W-FH6080-IP65-DINJ-3G फ़्रीक्वेंसी रेंज DC ~ 3.0GHz VSWR 1.20 MAX PIM3 ≥120DBC@2*33DBM पावर 50W इम्पीडेंस 50 ω कनेक्टर प्रकार DIN-M (J) वॉटरप्रूफ ग्रेड IP65 DEVENSS ध्यान पावर डी-रेटिंग पी/एन पदनाम -
RFTXX-20RM1304 RF रोकनेवाला
मॉडल RFTXX-20RM1304 पावर 20 डब्ल्यू प्रतिरोध xx ω (10 ~ 3000 N (अनुकूलन) प्रतिरोध सहिष्णुता ± 5% कैपेसिटेंस 1.2 PF@100ω तापमान गुणांक <150ppm/℃ सब्सट्रेट BEO कवर AL2O3 बढ़ते हुए निकाय BRASS LEAD 99.99% शुद्ध चांदी के लिए मोटे तौर पर चल रहे थे। । -
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RFT50-100CT6363 DC ~ 5.0GHz RF समाप्ति
मॉडल RFT50-100CT6363 फ़्रीक्वेंसी रेंज DC ~ 5.0GHz पावर 100 W रेजिस्टेंस रेंज 50 of प्रतिरोध सहिष्णुता v 5% VSWR DC ~ 4.0GHz 1.20MaxDC ~ 5.0GHz 1.25MAX तापमान गुणांक <150ppm/℃ सब्सट्रेट मटेरियल BEO RESTULT COLLOCTHERANCE TEMOTH COLLOMETHERANCE TEMOTH COLLOMETHERANCE TEMOTH COLLOMETH- डी-रेटिंग रिफ्लो समय और तापमान आरेख: पी/एन पदनाम मामलों पर ध्यान देने की आवश्यकता है ■ भंडारण पी के बाद ...
