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RFT50-10WT0404 DC-8.0GHz चिप टर्मिनेशन


  • नमूना:आरएफटी50-10डब्ल्यूटी0404
  • आवृति सीमा:डीसी~8.0GHz
  • शक्ति:10 डब्ल्यू
  • प्रतिरोध सीमा :50 Ω
  • प्रतिरोध सहनशीलता:±5%
  • वीएसडब्ल्यूआर :1.20 अधिकतम
  • तापमान गुणांक: <150ppm>
  • आधार सामग्री:BeO
  • कैप की सामग्री:मध्यम
  • प्रतिरोध प्रौद्योगिकी:उपकरणों की सतह पर चढ़ाई जाने वाले मोटी परत
  • परिचालन तापमान:-55 से +155°C (पावर डी-रेटिंग देखें)
  • उत्पाद विवरण

    उत्पाद टैग

    परीक्षा

    रूपरेखा रेखाचित्र (इकाई: मिमी/इंच)

    1

    आयामी सहनशीलता: 5% जब तक कि अन्यथा उल्लेख न किया गया हो

    सामान्य प्रदर्शन:

    2
    3

    इंस्टॉलेशन तरीका

    पावर डी-रेटिंग

    4

    5

    रिफ्लो समय और तापमान आरेख

    6

    पी/एन पदनाम

    7

    ध्यान देने योग्य मामले

    ■ नए खरीदे गए पुर्जों को 6 महीने से अधिक समय तक स्टोर करने के बाद, उपयोग करने से पहले उनकी वेल्डिंग क्षमता की जांच अवश्य कर लें। इन्हें वैक्यूम पैकेजिंग में स्टोर करने की सलाह दी जाती है।
    ■ पीसीबी पर गर्म छेद को ड्रिल करें और उसमें सोल्डर भरें।
    ■ बॉटम वेल्डिंग के लिए रिफ्लो वेल्डिंग को प्राथमिकता दी जाती है, कृपया रिफ्लो वेल्डिंग के बारे में जानकारी देखें।
    ■ मैनुअल वेल्डिंग तार का उपयोग 350 डिग्री या उससे कम के स्थिर तापमान की स्थिति में किया जाना चाहिए, और वेल्डिंग का समय 5 सेकंड के भीतर नियंत्रित किया जाना चाहिए।
    ■ ड्राइंग की आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए, पर्याप्त आकार का रेडिएटर स्थापित किया जाना चाहिए।
    ■ आवश्यकता पड़ने पर एयर कूलिंग या वाटर कूलिंग की व्यवस्था करें।
    ◆ विवरण:
    ■ विशेष रूप से डिजाइन किए गए आरएफ एट्यूनेटर, आरएफ प्रतिरोधक और आरएफ टर्मिनल उपलब्ध हैं।


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