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RFT20N-60AM1663-6 फ्लैंज्ड एट्यूनेटर DC~6.0GHz RF एट्यूनेटर
मॉडल RFT20N-60AM1663-6 (XX=क्षीणन मान) प्रतिबाधा 50 Ω आवृत्ति रेंज DC~6.0GHz VSWR 1.25 अधिकतम रेटेड पावर 60 W क्षीणन मान (dB) 20 क्षीणन सहनशीलता (dB) ±0.8 तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट सामग्री AlN पोर्सिलेन हैट सामग्री Al2O3 फ्लेंज निकल-प्लेटेड कॉपर लीड 99.99% स्टर्लिंग सिल्वर प्रतिरोध तकनीक थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (डी पावर डी-रेटिंग देखें) आउटलाइन ड्राइंग (इकाई: मिमी/इंच) लीड की लंबाई लगभग... -
RFTXX-60AM1606-6 फ्लैंज्ड एट्यूनेटर DC~6.0GHz RF एट्यूनेटर
मॉडल RFTXX-60AM1606-6 (XX=क्षीणन मान) प्रतिबाधा 50 Ω आवृत्ति रेंज DC~6.0GHz VSWR 1.25 अधिकतम रेटेड पावर 60 W क्षीणन मान (dB) 1-10/15, 20/25, 30 क्षीणन सहनशीलता (dB) ±0.6/±0.8/±1.0 तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट सामग्री BeO पोर्सिलेन हैट सामग्री Al2O3 फ्लेंज निकल-प्लेटेड कॉपर लेड 99.99% स्टर्लिंग सिल्वर प्रतिरोध तकनीक थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (डी पावर डी-रेटिंग देखें) आउटलाइन ड्राइंग (इकाई: मिमी/...) -
RFTXXN-100AJ8957-3 लेड युक्त एट्यूनेटर DC~3.0GHz RF एट्यूनेटर
मॉडल RFTXXN-100AJ8957-3 (XX=क्षीणन मान) प्रतिबाधा 50 Ω आवृत्ति रेंज DC~3.0GHz VSWR 1.20 अधिकतम रेटेड पावर 100 W क्षीणन मान 13, 20, 30dB क्षीणन सहनशीलता ±1.0dB तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट सामग्री AlN पोर्सिलेन हैट सामग्री मीडियम लीड 99.99% स्टर्लिंग सिल्वर प्रतिरोध तकनीक थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (पावर डी-रेटिंग देखें) आउटलाइन ड्राइंग (इकाई: मिमी/इंच) लीड की लंबाई आवश्यकतानुसार अनुकूलित की जा सकती है... -
माइक्रोस्ट्रिप एट्यूनेटर
माइक्रोस्ट्रिप एट्यूनेटर एक ऐसा उपकरण है जो माइक्रोवेव आवृत्ति बैंड के भीतर सिग्नल को कम करने में भूमिका निभाता है। इसे एक स्थिर एट्यूनेटर के रूप में विकसित करना माइक्रोवेव संचार, रडार सिस्टम, उपग्रह संचार आदि क्षेत्रों में व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है, जिससे सर्किट के लिए नियंत्रणीय सिग्नल क्षीणन कार्यक्षमता प्राप्त होती है। आमतौर पर उपयोग किए जाने वाले पैच एट्यूनेटर चिप्स के विपरीत, माइक्रोस्ट्रिप एट्यूनेटर चिप्स को इनपुट से आउटपुट तक सिग्नल क्षीणन प्राप्त करने के लिए समाक्षीय कनेक्शन का उपयोग करके एक विशिष्ट आकार के एयर हुड में असेंबल करने की आवश्यकता होती है।
अनुरोध पर अनुकूलित डिजाइन उपलब्ध है।
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RFT20N-60AM6363-6 लेड युक्त एट्यूनेटर DC~6.0GHz RF एट्यूनेटर
मॉडल RFT20N-60AM6363-6 (XX=क्षीणन मान) प्रतिबाधा 50 Ω आवृत्ति रेंज DC~6.0GHz VSWR 1.25 अधिकतम रेटेड पावर 60 W क्षीणन मान 20dB क्षीणन सहनशीलता ±0.8 dB तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट सामग्री AlN पोर्सिलेन हैट सामग्री Al2O3 लीड 99.99% स्टर्लिंग सिल्वर प्रतिरोध तकनीक थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (डी पावर डी-रेटिंग देखें) आउटलाइन ड्राइंग (इकाई: मिमी/इंच) लीड की लंबाई ग्राहक की आवश्यकता के अनुसार अनुकूलित की जा सकती है... -
RFTXX-60AM6363B-3 लेड युक्त एट्यूनेटर DC~3.0GHz RF एट्यूनेटर
मॉडल RFTXX-60AM6363B-3 (XX=क्षीणन मान) प्रतिबाधा 50 Ω आवृत्ति रेंज DC~3.0GHz VSWR 1.25 अधिकतम रेटेड पावर 60 W क्षीणन मान 01-10dB/16dB/20dB क्षीणन सहनशीलता ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट सामग्री BeO पोर्सिलेन हैट सामग्री Al2O3 लेड 99.99% स्टर्लिंग सिल्वर प्रतिरोध तकनीक थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (पावर डी-रेटिंग देखें) आउटलाइन ड्राइंग (इकाई: मिमी/इंच) लीड की लंबाई को काटा जा सकता है... -
RFTXXA-05AM0404-3 लेड युक्त एट्यूनेटर DC~3.0GHz RF एट्यूनेटर
मॉडल RFTXXA-05AM0404-3 (XX=क्षीणन मान) प्रतिबाधा 50 Ω आवृत्ति रेंज DC~3.0GHz VSWR 1.20 अधिकतम रेटेड पावर 5 W क्षीणन मान (dB) 01-10/15, 17, 20/25, 30 क्षीणन सहनशीलता (dB) ±0.6/±0.8/±1.0 तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट सामग्री Al2O3 पोर्सिलेन हैट सामग्री Al2O3 लेड 99.99% स्टर्लिंग सिल्वर प्रतिरोध तकनीक थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (डी पावर डी-रेटिंग देखें) आउटलाइन ड्राइंग (इकाई: मिमी/इंच) लीड की लंबाई ... -
RFTXX-60CA6363B-3 चिप एट्यूनेटर DC~3.0GHz RF एट्यूनेटर
मॉडल RFTXX-60CA6363B-3 (XX= क्षीणन मान) प्रतिरोध सीमा 50 Ω आवृत्ति सीमा DC~3.0GHz VSWR 1.25 अधिकतम शक्ति 60 W क्षीणन मान (dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB क्षीणन सहनशीलता (dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट सामग्री BeO प्रतिरोध तकनीक थिक फिल्म परिचालन तापमान -55 से +150°C (पावर डी-रेटिंग देखें) स्थापना विधि पावर डी-रेटिंग रिफ्लो सोल्डरिंग समय और तापमान आरेख P/N पदनाम ... -
RFTXXN-20CA5025C-3 चिप एट्यूनेटर DC~3.0GHz RF एट्यूनेटर
मॉडल RFTXXN-20CA5025C-3 (XX= क्षीणन मान) प्रतिरोध सीमा 50 Ω आवृत्ति सीमा DC~3.0GHz VSWR 1.25 अधिकतम शक्ति 20 W क्षीणन मान (dB) 01-10dB/11-20dB/21-30dB क्षीणन सहनशीलता (dB) ±0.6dB/±0.8dB/±1.0dB तापमान गुणांक <150ppm/℃ सब्सट्रेट सामग्री AlN प्रतिरोध तकनीक थिक फिल्म परिचालन तापमान -55 से +150°C (शक्ति डी-रेटिंग देखें) विशिष्ट प्रदर्शन: 2dB ग्राफ 20dB ग्राफ 6dB ग्राफ 30dB ग्राफ स्थापना विधि... -
RFTXXN-10CA5025C-6 चिप एट्यूनेटर DC~6.0GHz RF एट्यूनेटर
मॉडल RFTXXN-10CA5025C-6 (XX= क्षीणन मान) प्रतिरोध सीमा 50 Ω आवृत्ति सीमा DC~6.0GHz VSWR 1.25 अधिकतम शक्ति 10 W क्षीणन मान (dB) 01-10dB/11-20dB क्षीणन सहनशीलता (dB) ±0.6dB/±0.8dB तापमान गुणांक <150ppm/℃ सब्सट्रेट सामग्री AlN प्रतिरोध तकनीक थिक फिल्म परिचालन तापमान -55 से +150°C (पावर डी-रेटिंग देखें) विशिष्ट प्रदर्शन: 6dB ग्राफ 20dB ग्राफ स्थापना विधि पावर डी-रेटिंग रिफ्लो सोल्डरिंग समय और ... -
स्लीव के साथ माइक्रोस्ट्रिप एट्यूनेटर
स्लीव युक्त माइक्रोस्ट्रिप एट्यूनेटर से तात्पर्य एक विशिष्ट आकार की धातु की गोलाकार ट्यूब में डाली गई एक विशिष्ट क्षीणन मान वाली सर्पिल माइक्रोस्ट्रिप क्षीणन चिप से है (ट्यूब आमतौर पर एल्यूमीनियम सामग्री से बनी होती है और इसके लिए प्रवाहकीय ऑक्सीकरण की आवश्यकता होती है, और आवश्यकतानुसार इसे सोने या चांदी से भी लेपित किया जा सकता है)।
अनुरोध पर अनुकूलित डिजाइन उपलब्ध है।
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चिप एट्यूएटर
चिप एट्यूनेटर एक सूक्ष्म इलेक्ट्रॉनिक उपकरण है जिसका व्यापक रूप से वायरलेस संचार प्रणालियों और आरएफ परिपथों में उपयोग किया जाता है। इसका मुख्य उपयोग परिपथ में सिग्नल की शक्ति को कम करने, सिग्नल संचरण की शक्ति को नियंत्रित करने और सिग्नल विनियमन एवं मिलान कार्यों को प्राप्त करने के लिए किया जाता है।
चिप एट्यूनेटर में लघुकरण, उच्च प्रदर्शन, ब्रॉडबैंड रेंज, समायोज्यता और विश्वसनीयता जैसी विशेषताएं हैं।
अनुरोध पर अनुकूलित डिजाइन उपलब्ध है।
