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RFTXXN-05CR1530C चिप रेसिस्टर RF रेसिस्टर
मॉडल RFTXXN-05CR1530C पावर 5 W प्रतिरोध XX Ω ~(10~3000Ω अनुकूलन योग्य) प्रतिरोध सहनशीलता ±5% तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट AlN प्रतिरोधी तत्व थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (पावर डी-रेटिंग देखें) सुझाई गई माउंटिंग प्रक्रियाएँ पावर डी-रेटिंग रिफ्लो प्रोफाइल P/N पदनाम उपयोग संबंधी ध्यान ■ नए खरीदे गए पुर्जों के भंडारण की अवधि 6 महीने से अधिक होने के बाद, उपयोग से पहले वेल्ड करने की क्षमता पर ध्यान दिया जाना चाहिए। यह अनुशंसा की जाती है... -
RFTXX-05CR2550W चिप रेसिस्टर RF रेसिस्टर
मॉडल RFTXX-05CR2550W पावर 5 W प्रतिरोध XX Ω (10~3000Ω अनुकूलन योग्य) प्रतिरोध सहनशीलता ±5% तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO प्रतिरोधी तत्व थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (पावर डी-रेटिंग देखें) सुझाई गई माउंटिंग प्रक्रियाएँ पावर डी-रेटिंग रिफ्लो प्रोफाइल P/N पदनाम उपयोग संबंधी ध्यान ■ नए खरीदे गए पुर्जों के भंडारण की अवधि 6 महीने से अधिक होने के बाद, उपयोग से पहले वेल्ड करने की क्षमता पर ध्यान दिया जाना चाहिए। यह अनुशंसा की जाती है... -
RFTXX-30CR6363C चिप रेसिस्टर RF रेसिस्टर
मॉडल RFTXX-30CR6363C पावर 30W प्रतिरोध XX Ω (10~3000Ω अनुकूलन योग्य) प्रतिरोध सहनशीलता ±5% तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO प्रतिरोधी तत्व थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (पावर डी-रेटिंग देखें) सुझाई गई माउंटिंग प्रक्रियाएँ पावर डी-रेटिंग रिफ्लो प्रोफाइल P/N पदनाम उपयोग संबंधी ध्यान ■ नए खरीदे गए पुर्जों के भंडारण की अवधि 6 महीने से अधिक होने पर, उपयोग से पहले वेल्ड करने की क्षमता पर ध्यान दिया जाना चाहिए। यह अनुशंसा की जाती है... -
RFTXX-30CR2550W चिप रेसिस्टर RF रेसिस्टर
मॉडल RFTXX-30CR2550W पावर 30 W प्रतिरोध XX Ω (10~3000Ω अनुकूलन योग्य) प्रतिरोध सहनशीलता ±5% तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO प्रतिरोधी तत्व थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (पावर डी-रेटिंग देखें) सुझाई गई माउंटिंग प्रक्रियाएं पावर डी-रेटिंग रिफ्लो प्रोफाइल P/N पदनाम उपयोग संबंधी ध्यान ■ नए खरीदे गए पुर्जों के भंडारण की अवधि 6 महीने से अधिक होने के बाद, उपयोग से पहले वेल्ड करने की क्षमता पर ध्यान दिया जाना चाहिए। यह अनुशंसा की जाती है... -
RFTXX-30CR2550TA चिप रेसिस्टर RF रेसिस्टर
मॉडल RFTXX-30CR2550TA पावर 30W प्रतिरोध XX Ω (10~3000Ω अनुकूलन योग्य) प्रतिरोध सहनशीलता ±5% तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO प्रतिरोधी तत्व थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (पावर डी-रेटिंग देखें) सुझाई गई माउंटिंग प्रक्रियाएँ पावर डी-रेटिंग रिफ्लो प्रोफाइल P/N पदनाम उपयोग संबंधी ध्यान ■ नए खरीदे गए पुर्जों के भंडारण की अवधि 6 महीने से अधिक होने के बाद, उपयोग से पहले वेल्ड करने की क्षमता पर ध्यान दिया जाना चाहिए। यह अनुशंसा की जाती है... -
RFTXX-30RM2006 फ्लैंग्ड रेसिस्टर RF रेसिस्टर
मॉडल RFTXX-30RM2006 पावर 30 W प्रतिरोध XX Ω (10~2000Ω अनुकूलन योग्य) प्रतिरोध सहनशीलता ±5% धारिता 2.6 PF@100Ω तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO कवर AL2O3 माउंटिंग फ्लेंज पीतल लीड 99.99% शुद्ध चांदी प्रतिरोधी तत्व थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (पावर डी-रेटिंग देखें) रूपरेखा चित्र (इकाई: मिमी) लीड तार की लंबाई ग्राहक की आवश्यकताओं को पूरा कर सकती है आकार सहनशीलता: 5% जब तक अन्यथा न कहा गया हो सुझाव... -
RFTXX-30RM1306 RF प्रतिरोधक
मॉडल RFTXX-30RM1306 पावर 30 W प्रतिरोध XX Ω (10~2000Ω अनुकूलन योग्य) प्रतिरोध सहनशीलता ±5% धारिता 2.6 PF@100Ω तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO कवर AL2O3 माउंटिंग फ्लेंज पीतल लीड 99.99% शुद्ध चांदी प्रतिरोधी तत्व थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (पावर डी-रेटिंग देखें) रूपरेखा चित्र (इकाई: मिमी) लीड तार की लंबाई ग्राहक की आवश्यकताओं को पूरा कर सकती है आकार सहनशीलता: 5% जब तक अन्यथा न कहा गया हो सुझाव... -
RFTXX-20RM0904 RF प्रतिरोधक
मॉडल RFTXX-20RM0904 पावर 20 W प्रतिरोध XX Ω (10~3000Ω अनुकूलन योग्य) प्रतिरोध सहनशीलता ±5% धारिता 1.2 PF@100Ω तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO कवर AL2O3 माउंटिंग फ्लेंज पीतल लीड 99.99% शुद्ध चांदी प्रतिरोधी तत्व थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (पावर डी-रेटिंग देखें) रूपरेखा चित्र (इकाई: मिमी) लीड तार की लंबाई ग्राहक की आवश्यकताओं को पूरा कर सकती है आकार सहनशीलता: 5% जब तक अन्यथा न कहा गया हो सुझाव... -
RFTXX-20RM1304 RF प्रतिरोधक
मॉडल RFTXX-20RM1304 पावर 20 W प्रतिरोध XX Ω (10~3000Ω अनुकूलन योग्य) प्रतिरोध सहनशीलता ±5% धारिता 1.2 PF@100Ω तापमान गुणांक <150ppm/℃ सबस्ट्रेट BeO कवर AL2O3 माउंटिंग फ्लेंज पीतल लीड 99.99% शुद्ध चांदी प्रतिरोधी तत्व थिक फिल्म ऑपरेटिंग तापमान -55 से +150°C (पावर डी-रेटिंग देखें) रूपरेखा चित्र (इकाई: मिमी) लीड तार की लंबाई ग्राहक की आवश्यकताओं को पूरा कर सकती है आकार सहनशीलता: 5% जब तक अन्यथा न कहा गया हो सुझाव... -
चिप प्रतिरोधक
चिप रेसिस्टर का उपयोग इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और सर्किट बोर्डों में व्यापक रूप से किया जाता है। इसकी मुख्य विशेषता यह है कि इसे माउंट किया जा सकता है।
सरफेस माउंट तकनीक (एसएमटी) द्वारा सीधे बोर्ड पर लगाया जाता है, जिसमें छिद्रण या सोल्डर पिन की आवश्यकता नहीं होती है। पारंपरिक प्लग-इन रेसिस्टर्स की तुलना में, चिप रेसिस्टर्स का आकार छोटा होता है, जिसके परिणामस्वरूप बोर्ड का डिज़ाइन अधिक कॉम्पैक्ट होता है।
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सीसा प्रतिरोधक
लीडेड रेसिस्टर, जिन्हें एसएमडी टू लीड रेसिस्टर भी कहा जाता है, इलेक्ट्रॉनिक सर्किट में आमतौर पर उपयोग होने वाले निष्क्रिय घटकों में से एक हैं, जो सर्किट को संतुलित करने का कार्य करते हैं। यह सर्किट में प्रतिरोध मान को समायोजित करके धारा या वोल्टेज की संतुलित स्थिति प्राप्त करके सर्किट के स्थिर संचालन को सुनिश्चित करता है। इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों और संचार प्रणालियों में इसकी महत्वपूर्ण भूमिका होती है। लीडेड रेसिस्टर एक प्रकार का रेसिस्टर है जिसमें अतिरिक्त फ्लैंज नहीं होते हैं, और इसे आमतौर पर वेल्डिंग या माउंटिंग के माध्यम से सीधे सर्किट बोर्ड पर स्थापित किया जाता है। फ्लैंज वाले रेसिस्टरों की तुलना में, इसके लिए विशेष फिक्सिंग और ऊष्मा अपव्यय संरचनाओं की आवश्यकता नहीं होती है।
